Samsung stellt drei neue Speichertechnologien für KI-Workloads vor

Samsung hat auf der FMS 2026 mit zHBM, zNAND-O und BV-NAND drei neue Speicherkonzepte vorgestellt, die alle auf Wafer-Bonding basieren und für KI-Anwendungen gedacht sind. Konkrete Markteinführungstermine nannte das Unternehmen nicht.

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Samsung hat auf der Konferenz Future of Memory and Storage (FMS) 2026 drei neue Speichertechnologien präsentiert, die auf Wafer-Bonding basieren und für KI-Workloads entwickelt wurden. Das Unternehmen stellte zHBM, zNAND-O und BV-NAND vor, ohne konkrete Zeitpläne für eine Markteinführung zu nennen.

Bei zHBM handelt es sich um eine Variante des High Bandwidth Memory, bei der der Speicher direkt auf dem KI-Beschleuniger platziert wird, anstatt ihn an dessen Rand anzuordnen. Laut Samsung soll zHBM die achtfache Leistung von HBM5 bieten, eine mehr als zehnfach höhere Speicherdichte, eine dreimal bessere Energieeffizienz und einen um über 50 Prozent geringeren Wärmewiderstand als HBM5. Zudem soll zHBM kundenspezifische Designs und die Integration von kundeneigenem IP in der Verbindungsschicht zwischen HBM-Stapel und KI-Prozessor unterstützen. Da sich die Angaben auf einen Vergleich mit HBM5 beziehen, dürfte die Technologie frühestens Ende der 2020er oder Anfang der 2030er Jahre auf den Markt kommen.

Mit zNAND-O präsentierte Samsung ein Konzept für Hochleistungs-NAND, das On-Device-KI beschleunigen soll. Das "O" steht für "On-Device". Die NAND-Dies werden dabei vertikal gestapelt – in vier oder acht Lagen – und über Through-Silicon Vias (TSV) verbunden. Samsung erwartet einen Durchsatz von 200 bis 400 GB/s, bei mehreren Stapeln bis zu 1 TB/s. Die Leselatenz soll unter 3 Mikrosekunden liegen. Zum Vergleich: Die aktuelle 8. Generation der 3D-TLC-NAND-Speicher von Samsung, die V-NAND V8, erreicht eine Leselatenz von 45 Mikrosekunden. zNAND-O basiert auf der V-NAND-Plattform von Samsung und zielt darauf ab, hohe Speicherdichte mit verbesserter I/O-Leistung und niedriger Latenz zu kombinieren. Laut Samsung eignet sich das Konzept für Edge-KI-Systeme, die Echtzeit-Inferenz mit hoher Datenrate ausführen. Einen Zeitrahmen für die Markteinführung nannte das Unternehmen nicht; es handelt sich derzeit nur um ein Konzept.

BV-NAND ist ein neuer Markenname für die nächste Generation von 3D-NAND, bei der der NAND-Array auf einem I/O- und Logik-Wafer gebondet wird. Dadurch lassen sich höhere I/O-Geschwindigkeiten erzielen, da die Schicht mit Hochleistungs-Logikprozessen hergestellt wird. Samsung kündigte außerdem offiziell die 10. Generation der V-NAND an, die 400-Lagen-Klasse, mit einer Flächendichte von 28 Gb/mm² und einer maximalen I/O-Geschwindigkeit von 5600 MT/s. Die Flächendichte der 10. Generation TLC V-NAND liegt leicht unter der von Kioxia/Sandisk BiCS10 TLC NAND, die maximale I/O-Geschwindigkeit ist jedoch deutlich höher.

Das zNAND-O-Konzept ähnelt dem High Bandwidth Flash (HBF)-Standard, den Sandisk und SK Hynix unter dem Open Compute Project (OCP) entwickeln. HBF sieht mehrere gestapelte NAND-Dies (bis zu 16) und einen Durchsatz von 400 GB/s bis 3 TB/s vor; offizielle Latenzwerte gibt es nicht. Samsung ist Platinum-Mitglied des OCP, erwähnte HBF in seiner Ankündigung jedoch nicht.